已有 729 次阅读| 2025-2-7 12:07 |个人分类:sv|系统分类:芯片设计| c-module
NAND Flash 的data array 区域规模巨大,用verilog 建模,通常只是一个simple data module。
仿真效率不高,费时。
没有data cell 的vt 变化参数。
不方便建立细致的vt 退化效应。
这里有一个c-code 编写的nand array vt module 技术demo, 可以用DPI 方式接入verilog 仿真。有兴趣的可以私信我,或者发邮件给eum_helper@aliyun.com介绍如下图:
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