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jiangbing1975 2023-2-14 14:31
高压工艺没接触过，不好意思。
ic魅影 2023-2-9 11:40
请教大神，高压LDMOS器件连接成ggnmos，是否可以实现主esd功能？有同事说高压LDMOS器件内部没有寄生NPN作为放电通道，这个我不太理解。
jiangbing1975 2022-7-5 16:22
R 5Kohm
种类没有要求，都可以。
sujh0755 2022-6-21 20:50
大神请问：0.18um 5v工艺，HBM 2KV要求，VDD到GND的ESD用GCNMOS结构，W/L=480/0.6, gate端R值应该设计多大？R的种类有要求吗？POLY电阻、N阱电阻、P+或N+电阻都可以吗？
jiangbing1975 2019-11-29 18:17
举个例子如果两个NMOS的D端接不同的信号，那么这两个NMOS管的D端间距要够大？or这两个NMOS的D端要加PPLUS衬底接触？是这个意思吗？
xuhao 2019-11-28 16:20
请教一个问题，在TSMC ESD rule里面，两个same type mos管接不同的signal pad，如果两个mos间距小于某个值，则需要在两个mos之间加上衬底，如果大于某个值就没有问题，这是什么原理呢？
如果这个两个mos是有共用端，直接有源区合并，或者中间加上dummy管将有源区共用，那这样是否有ESD的风险?
以上说的mos都是模拟内部的，不是ESD器件范围。
谢谢！
jiangbing1975 2019-10-28 09:25
没有，公司目前没有相关的软件。
瑞奇-冬之颤 2019-10-9 19:36
请问你有没有做过ESD的器件仿真啊，比如scr，如果仿真ESD器件用silvaco还是SENTAURUS好。谢谢！
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