日志
主要噪声的形成以及隔离方法
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由于流入衬底的电流引起衬底电压波动而形成的衬底噪声，或与信号线之间寄生电容耦合导致的串扰噪声。
衬底噪声隔离方法：
1) 工艺上采用SOI型衬底、浅掺杂衬底、深N阱隔离技术等来减少衬底噪声干扰。
SOI工艺：在硅晶片下增加氧化层的绝缘；
浅掺杂衬底：射频CMOS工艺下；
深N阱隔离技术：将敏感的模块或射频电路放在深N阱中。
2) 增大芯片上敏感的模拟模块和数字模块之间的距离，可以减少衬底的耦合效应。
3） 使用保护环来隔离电路模块。
单层保护环。单层保护环由多子保护环构成。
双层保护环。多子保护环和少子保护环构成。
4） 将数字和模拟的电源线、地线分开。
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